電子產品離不開電能，而其電能使用更離不開功率半導體技術。功率半導體的目的是使電能更高效、更節能、更環保、更便捷。
但長期以來，功率半導體器件的作用在國內沒有引起人們足夠的重視，國內功率半導體行業一直處于小、散狀態。相較于TI、Infineon已開始在12英寸晶園上生產功率半導體產品，國內目前還沒有一家功率半導體IDM企業擁有8英寸生產線。大部分IDM企業仍以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，像MOS器件、IGBT等這些國際主流產品，在近年才有所涉及。因此，順應市場需求開發前端性功率半導體產品將是國內產業努力的主要方向。
然而，當前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比，還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。以IGBT為例，核心技術均掌握在發達國家企業手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內廠商相比，英飛凌、三菱電機、富士電機和日立等國際廠商占有絕對的市場優勢。
形成這種局面的原因，一是國際廠商起步早，研發投入大，尤其是在傳統的硅基半導體領域形成了專利壁壘；二是國外高端制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。
中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀。總體來看，當前功率半導體的技術發展方向是：（1）碳化硅芯片的采用；（2）功率半導體里面搭載的各種功能；（3）在封裝技術上，通過摒棄了綁定線，使功率半導體的壽命更長、穩定性更好、功率密度更大。
功率半導體是最適合中國發展的半導體產業，相對于超大規模集成電路而言，其資金投入較低、產品周期較長、市場關聯度更高，且還沒有形成如英特爾和三星那樣的壟斷企業（全球規模化功率半導體企業超過100家，前10大功率半導體企業銷售額只占全球份額的50%）。但中國功率半導體的發展必須改變目前封裝強于芯片、芯片強于設計的局面，應加強與整機企業的聯動，大力發展設計技術，以市場帶動設計、以設計促進芯片、以芯片壯大產業。
功率半導體芯片不同于以數字集成電路為基礎的超大規模集成電路，功率半導體芯片屬于模擬器件的范疇。功率器件和功率集成電路的設計與工藝制造密切相關，因此國際上著名的功率器件和功率集成電路提供商均屬于IDM企業。國內功率半導體企業（包括代工企業）在提升工藝水平的同時，應加強與系統廠商的合作，不斷提高國內功率半導體技術的創新力度和產品性能，以滿足高端市場的需求，促進功率半導體市場的健康發展。<
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