IGBT突波吸收電容器
詳細描述

DTS-IGBT 高頻高壓無感突波吸收電容器
產(chǎn)品性能說明:
- 低效串聯(lián)電阻
- 低等效串聯(lián)電感
- 可承受非常高的du/dt
- 額定電壓: 700 to 3000 Vdc
- 電容量: 0.0068 to 6.8μF
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高性價比,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、牽引、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發(fā)電等行業(yè)的IGBT突波吸收。
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