您的位置：首頁>>電源大講堂>>電源科普>>基礎知識>>正文

什么是IEGT（電子注入增強柵晶體管）

IEGT：電子注入增強柵晶體管

　　IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結構實現了低通態電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅動智能化等特點，以及采用溝槽結構和多芯片并聯而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產品，在大、中容量變換器應用中被寄予厚望。

　　日本東芝開發的IECT利用了“電子注入增強效應”，使之兼有IGBT和GTO兩者的優點：低飽和壓降，寬安全工作區(吸收回路容量僅為GTO的1/10左右)，低柵極驅動功率(比GTO低兩個數量級)和較高的工作頻率，如圖3所示。器件采用平板壓接式電極引出結構，可靠性高，性能已經達到4.5KV/1500A的水平。

聲明：本信息內容的真實性未經電源在線網證實，僅供參考。編輯：news

關于該條電源科普信息，我有如下留言：

請您注意：
·遵守中華人民共和國的各項有關法律法規
·承擔一切因您的行為而導致的法律責任
·本網留言板管理人員有權刪除其管轄的留言內容
·您在本網的留言內容，本網有權在網站內轉載或引用
·參與本留言即表明您已經閱讀并接受上述條款

驗證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費注冊會員