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作為<A href="http://m.mangadaku.com/knowledge/1289.htm"><FONT color=#0000ff>繼Si之后的新一代功率半導(dǎo)體</FONT></A>,SiC是與GaN等一樣備受矚目的材料。有望成為實現(xiàn)電源系統(tǒng)高效率化和小型化的關(guān)鍵所在。關(guān)于SiC的全球最高級別國際學(xué)會“第七屆碳化硅與相關(guān)材料歐洲會議(ECSCRM)”于當(dāng)?shù)貢r間2008年9月7日在西班牙巴塞羅那召開。會議截止日期為08年9月11日。 <BR><BR> ECSCRM上,除肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)和MOSFET等利用SiC的元件(SiC元器件)外,還將發(fā)表決定<A href="http://m.mangadaku.com/knowledge/1289.htm"><FONT color=#0000ff>SiC元件</FONT></A>特性和價格的SiC底板、結(jié)晶成長技術(shù)以及分析技術(shù)等相關(guān)最新成果。除這些技術(shù)外,“還將發(fā)表利用SiC的石墨烯制作技術(shù)和面向生物技術(shù)的應(yīng)用等近來備受矚目的研究成果”(在國際籌劃指導(dǎo)委員會就職的科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)(JST)JST京都科技創(chuàng)新館(Innovation Plaza)館長松波弘之)。
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