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<P> ​</P> <P> 根據《日本經濟新聞》7日報導,第三代半導體碳化硅(SiC)的專利競爭激烈,相關專利數量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業。</P> <P> 其中第一名是美國科銳(Cree),接下來是日本羅姆(Rohm)、住友電工、三菱電機和Denso。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211008170120895.jpg"></P> <P align=center> 圖片來自:日本經濟新聞​</P> <P> 日本經濟新聞報道稱,根據從事專利分析的日本Patent Result所整理出的數據,在與第三代半導體碳化硅有關的專利方面,美國Cree所持有的專利數量最多,二到四名則全部被日本企業包辦。</P> <P> Patent Result的計算方式是基于2021年7月29日為止的美國已發行專利數量,再把數量及矚目程度轉換成分數來算出得分。</P> <P> 碳化硅可取代以往半導體材料的硅利光(Silicone),特別是在功率半導體等用途上,可提升性能、也有利節能。目前碳化硅已普遍使用在電動車和太陽光電系統的變頻器上頭,用途也愈來愈廣。還有在脫碳潮流的發展之下,碳化硅的應用也備受矚目。</P> <P> 按照Patent Result的分析,第一名Cree的強項是在碳化硅基板和磊晶領域,第二名和第五名的羅姆和Denso的專長是在電力損失的降低方面,第三名的住友電工擅長于碳化硅的結晶結構,第四名的三菱電機則在半導體裝置的構造方面擁有強項。</P>
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