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<P> 賓夕法尼亞、MALVERN—2022年2月7日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET®MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175(C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK®8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220215103108896.jpg"></P> <P> SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m(和1.22 m(—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54%和52%，從而減小了傳導功耗，實現節能的效果。</P> <P> 為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60%，高度降低57%。為節省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。</P>
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