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內 容:
<P> 2022年3月21日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化,進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。得益于其出色的品質,EDT2 IGBT符合并超越了車規級半導體分立器件應力測試標準AECQ101,因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性。該IGBT采用汽車級微溝槽場中止單元設計,所用技術已成功應用于EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆變器模塊。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220324102431573.jpg"></P> <P> 為了滿足目標應用的要求,英飛凌新推出的EDT2 IGBT產品系列具備出色的抗短路能力。此外,它所采用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離,更有利于進行系統設計。同時,EDT2技術專門針對牽引逆變器進行了優化,擊穿電壓為750 V,可支持高達470 VDC的電池電壓,并顯著降低開關和導通損耗。</P> <P> 分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時,額定電流通常為120 A或200 A,這兩款型號均具有極低的正向電壓,相比上一代產品,導通損耗降低了13%。其中,額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2,在采用TO247Plus封裝的分立式IGBT產品中堪稱出類拔萃。因此,僅需少量的并聯器件,便可實現既定的目標功率等級,同時還可提高功率密度,降低系統成本。</P> <P> 此外,EDT2 IGBT的參數分布非常緊湊。集電極-發射極飽和電壓(Vce(sat))的典型值與最大值之間相差不足200 mV,柵極閾值電壓(VGEth)也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度系數。總之,這些特性有助于輕松實現并聯運行,從而提高最終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外,這款IGBT器件還擁有平穩的開關特性、低柵極電荷(QG)和175°C的最高結溫溫度(Tvjop)等優點。</P> <P> 供貨情況</P> <P> 英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號,現已開始供貨。如需了解更多信息,請訪問AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2。</P>
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