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內 容:
<P> 中國北京-2022年5月17日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo®(納斯達克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)系列,該系列具有出色的導通電阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適用于主流的800V總線架構,這種架構常見于電動汽車車載充電器、工業電池充電器、工業電源、DC/DC太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。</P> <P> UnitedSiC/Qorvo功率器件總工程師Anup Bhalla表示:“我們通過更高性能的第四代器件擴充了1200V產品系列,為工程師將總線設計電壓提高到800V提供了有力支持。在電動汽車中,這種電壓升高無法避免;這些新器件支持四種不同的RDS(on)(漏源導通電阻)等級,有助于設計師為每項設計選擇合適的SiC器件!</P> <P> 以下SiC FET出色的品質因數展現了全新UF4C/SC系列的性能優勢:</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220517150454101.jpg"></P> <P> 所有RDS(on)選項(23、30、53和70毫歐)都采用行業標準的4引腳開爾文源極TO-247封裝,以更高的性能水平提供更清潔的開關。53和70毫歐的器件也可采用TO-247三引腳封裝。該系列器件采用先進的銀燒結芯片貼裝和晶圓減薄工藝,通過良好的熱性能管理實現了出色的可靠性。</P> <P> 此外,FET-Jet Calculator™免費在線設計工具支持所有1200V SiC FET;可以即時評估在各種AC/DC和隔離式/非隔離DC/DC轉換器拓撲結構中所用器件的效率、組件損耗和結溫上升指標。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個和并聯器件,以獲取優化解決方案。</P> <P> 全新1200V第四代SiC FET售價(1000件起,美國離岸價)為5.71美元(UF4C120070K3S)到14.14美元(UF4SC120023K4S)。所有器件均通過授權經銷商銷售。</P> <P> Qorvo的碳化硅和電源管理產品面向工業、商業和消費電子領域的充電、驅動和控制應用。</P>
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