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內(nèi) 容：
<P> 2022年6月9日–提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入(NPI)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo®收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅(SiC)FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。</P> <P> 貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計人員提供了多種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)。1200 V SiC FET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))值為23mΩ至70mΩ，可采用三引線TO-247-3L封裝或四引線TO-247-4L封裝。TO-247-4L封裝采用開爾文柵極，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復(fù)特性，非常適合開關(guān)感性負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220614113338214.jpg"></P> <P> UF4C/SC系列所有器件都可以用標(biāo)準(zhǔn)的0V至12V或15V柵極驅(qū)動電壓安全驅(qū)動，從而在不改變柵極驅(qū)動電壓的情況下，成為硅IGBT、FET或超級結(jié)器件的合適替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通過真正的5V閾值電壓保持良好的閾值噪聲容限、出色的反向恢復(fù)特性和內(nèi)置ESD柵極保護(hù)箝位。</P> <P> </P>
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