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<P> 2022年6月23日，中國–意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。</P> <P> 新型40V N溝道增強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術實現卓越的品質因數。在柵源電壓(VGS)為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大導通電阻(Rds(on))分別為0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節省空間且熱效率高的PowerFLAT 5x6封裝。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 427px; HEIGHT: 309px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220629163728542.jpg" width=636 height=346></P> <P> 意法半導體先進的STripFET F8技術的開關速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態參數，提高系統能效。設計人員可以在600kHz至1MHz范圍內選擇開關頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應用的功率密度。</P> <P> 適當的輸出電容和相關的等效串聯電阻可防止漏源電壓出現尖峰，并確保在管子關斷時突降振蕩時間更短。憑借這一點和體二極管的軟恢復特性，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發出的電磁干擾(EMI)低于市場上其他類似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復電荷很小，可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。</P> <P> 柵極閾壓(VGS(th))在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯多個MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達1000A的電流(脈沖短于10µs)。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別是第一款符合工業標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，是電池供電產品和計算、電信、照明和通用功率轉換應用的理想選擇。</P> <P> STL320N4LF8和STL325N4LF8AG現已量產。</P>
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