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內 容:
<P> 2022年6月30日,中國——依托在串行EEPROM技術領域的積累和沉淀,意法半導體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM(Serial Page EEPROM)。這款全新類別的EEPROM是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器,擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界,前所未有。意法半導體新的串行頁EEPROM產品家族前期先推出32Mbit的M95P32,稍后在適當?shù)臅r候增加16Mbit和8Mbit產品。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 407px; HEIGHT: 306px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220630155832274.jpg" width=627 height=339></P> <P> 這個創(chuàng)新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數(shù)據(jù),這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產品的物料清單(BoM)成本,縮短上市時間,增加應用價值,并實現(xiàn)尺寸更小的超低功耗模塊,從而延長電池使用壽命。這些器件非常適合實現(xiàn)多合一非易失性存儲器,用于工業(yè)物聯(lián)網模塊、可穿戴設備、醫(yī)療健康、電子價簽、智能表計和5G光纖模塊等新系統(tǒng)設計。</P> <P> 作為一個全新的開發(fā)成果,串行頁EEPROM整合意法半導體的e-STM 40nm非易失性存儲器(NVM)單元專利技術與新的智能存儲頁架構,兼?zhèn)涓叽嫒萘俊⒆止?jié)擦寫靈活性和高耐擦寫次數(shù),既有利于固件管理,又能簡化數(shù)據(jù)記錄。新產品還具有讀取、擦除和寫入時間短的特點,上傳下載速度快可以降低制造成本,減少應用停機時間。快速上電和四路輸出讀操進一步加快應用喚醒速度。</P> <P> 集成這種新的簡化的存儲器可優(yōu)化企業(yè)擁有成本,提高產品易用性,簡化軟件開發(fā),提升產品可靠性。串行頁EEPROM是一個成本比FRAM更低的非易失性存儲器解決方案,功耗比串行閃存(serial Flash)更低,功能和易用性比Dataflash產品更好。</P> <P> 詢價和申購樣片,請聯(lián)系意法半導體銷售代表。</P>
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