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* 所屬類別： (不超過20項(xiàng))	電源產(chǎn)品分類： UPS電源穩(wěn)壓電源 EPS電源變頻電源凈化電源特種電源發(fā)電機(jī)組開關(guān)電源(AC/DC) 逆變電源(DC/AC) 模塊電源(DC/DC) 電源應(yīng)用分類：通信電源電力電源車載電源軍工電源航空航天電源工控電源 PC電源 LED電源電鍍電源焊接電源加熱電源醫(yī)療電源家電電源便攜式電源充電機(jī)(器) 勵(lì)磁電源電源配套分類：功率器件防雷浪涌測(cè)試儀器電磁兼容電源IC 電池/蓄電池電池檢測(cè) 變壓器傳感器軸流風(fēng)機(jī) 電子元件連接器及端子散熱器電解電容 PCB/輔助材料新能源分類：太陽(yáng)能(光伏發(fā)電) 風(fēng)能發(fā)電潮汐發(fā)電水利發(fā)電燃料電池其他類：其他
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* 內(nèi) 容：	<P>　　東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。</P> <P align=center>　　<IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20220831094712228.jpg"></P> <P>　　新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%[5]，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。</P> <P>　　東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。</P> <P>　　應(yīng)用：</P> <P>　　-開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等）</P> <P>　　-電動(dòng)汽車充電站</P> <P>　　-光伏變頻器</P> <P>　　-不間斷電源（UPS）</P> <P>　　特性：</P> <P>　　-單位面積導(dǎo)通電阻低（RDS(ON)A）</P> <P>　　-低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）</P> <P>　　-低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）VGS＝-5V</P> <P>　　主要規(guī)格：</P> <P align=right>　　（除非另有說明，Ta＝25℃）</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 474px; HEIGHT: 409px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220831094723795.jpg" width=738 height=507></P> <P>　　注：</P> <P>　　[1]通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內(nèi)置肖特基勢(shì)壘二極管的架構(gòu)，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A），同時(shí)降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構(gòu)。</P> <P>　　[2]MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。</P> <P>　　[3]當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。</P> <P>　　[4]當(dāng)?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設(shè)為1時(shí)，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。</P> <P>　　[5]新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。</P>

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