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美國英特爾2006年9月25日在“英特爾開發(fā)商論壇（IDF）”（2006年9月26日～28日，美國舊金山）面向記者召開的會前說明會上，介紹了該公司的研發(fā)情況及部分研發(fā)成果。其中，介紹時間最長的是9月18日剛剛發(fā)表的混合型硅激光技術的細節(jié)。 <BR><BR> 此次，英特爾在介紹混合型硅激光元件時強調了以下幾點：（1）在InP底板上形成的AlGaInAs發(fā)光層與Si導波路粘合時無需校準位置；（2）憑借“倏逝波耦合”現(xiàn)象從發(fā)光層向硅導波路傳輸光線；（3）可輕松集成在英特爾構想的“萬億次計算（Terascale Computing）”系統(tǒng)上，等等。 <BR><BR> 不需要校準位置是因為該元件像“墻壁照明”一樣使用發(fā)光層。因此，即使將具有不同振蕩波的多束激光聚集在1枚芯片上時，也無需改變發(fā)光層及InP底板的組成及形狀，可直接使用。不過與墻壁照明不同是，整個發(fā)光層實際上并不發(fā)光。而是采用在發(fā)光層與硅導波路粘合后，只有封裝電極的地方發(fā)光的設計。在發(fā)光層與硅導波路粘合時，使用名為“glass-glue”的離子狀薄型氧化膜。通過采用該方法，無需使用在具有不同晶格常數(shù)的結晶間實現(xiàn)復雜結晶成長的技術即可粘合。 <BR><BR> “原有光互連技術的成本要遠遠高于電氣傳輸。其中大部分成本由封裝時需要校準位置而產生。而此次的技術則具有可實現(xiàn)高集成度和低成本的優(yōu)點，”英特爾通信技術實驗室負責人、高級研究員凱文·康（Kevin Kahn）。 <BR><BR> （2）倏逝波耦合是一種采用不向遠方傳播的光來接受能量的方法。如果采用這一方法，振蕩波長將取決于硅導光線路的設計，而不是InP中的能帶隙。 <BR><BR> 英特爾打算將該技術應用于為1枚芯片即可實現(xiàn)1TFLOPS運算速度而配備超高速LSI的板卡間的連接。通過利用25種不同的波長收發(fā)以40Gbps變頻的光信號，即可實現(xiàn)1Tbps的數(shù)據(jù)傳輸速度。“目標是該技術在4～5年后達到實用水平”凱文·康說道。（野澤 哲生）
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