2018年11月8日—推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，推出了新的電源模塊，在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強固的電源半導(dǎo)體器件陣容。
太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)逆變級和工業(yè)變頻驅(qū)動器(VFD)等應(yīng)用中的功率級通常由分立的IGBT/MOSFET集成專用的驅(qū)動器和額外的分立器件構(gòu)成。安森美半導(dǎo)體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊(PIM)提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節(jié)省空間和降低成本，極大地減輕設(shè)計人員的挑戰(zhàn)。
這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30KW和50KW逆變器，集成場截止溝槽IGBT和快速恢復(fù)二極管，提供更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，并使設(shè)計人員能夠在低VCE(SAT)和低EON/EOFF損耗之間折衷，以充分優(yōu)化電路性能。直接鍵合銅(DBC)基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設(shè)計人員實現(xiàn)高的開關(guān)速度，以及以12.7mm的爬電距離提供3000Vrms的隔離電壓。
此外，安森美半導(dǎo)體還推出了新的、充分優(yōu)化的、超緊湊的智能功率級(SPS)多芯片模塊FDMF3170，用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、人工智能加速器和電信設(shè)備中的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。它集成兩個基于安森美半導(dǎo)體PowerTrench®技術(shù)的高性能功率MOSFET，和一個具有高精度電流傳感器的智能驅(qū)動器以實現(xiàn)最佳的處理器性能。
在Electronica展會的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制技術(shù)演示
這兩個新的電源模塊將在Electronica展會期間在安森美半導(dǎo)體展臺演示，突顯基于半導(dǎo)體的高能效方案對于開發(fā)成功的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制(PCMC)設(shè)計至關(guān)重要。展臺演示將重點展現(xiàn)安森美半導(dǎo)體的方案在工業(yè)電源、太陽能和電機(jī)驅(qū)動器開創(chuàng)了領(lǐng)先地位，并將包括一個機(jī)器人展示以及太陽能和電池儲能裝置。
安森美半導(dǎo)體提供最廣泛的電源半導(dǎo)體器件陣容，采用創(chuàng)新的封裝格式，支持全球邁向更清潔、高可靠性和具性價比的能源設(shè)計。該陣容包括基于先進(jìn)寬禁帶(WBG)材料的器件、用于所有電機(jī)類型的MOSFET、IGBT、PIM和IPM以及全集成的驅(qū)動器。這些器件一起顯著提高現(xiàn)代應(yīng)用所需的高能效、可靠、緊湊和低成本的電源方案，持續(xù)推動能源革命。