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飛兆高壓MOSFET面向PFC電路及AC/DC電源設計

　　飛兆半導體公司日前推出8款新型高壓SuperFET MOSFET器件，專為高效的高壓、快速電能轉換應用而設計，例如，有源功率因數校正(PFC)、照明電子和AC/DC電源系統等。

　　SuperFET技術通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)來減小導通損耗及開關損耗。這項技術可降低電壓和電流的瞬態轉換速度(di/dt、dv/dt)，確保器件能在更高頻率下可靠地運行。新的SuperFET系列也具有很高的額定重復性雪崩特性，比同類方案高出一個數量級。柵-源電壓最高額定值為±30V (比競爭器件高50%)，使得SuperFET器件具備更高的耐用性，在高壓應用時更加可靠。

　　SuperFET技術提供的高可靠性對瞬態的應用是一個特別重要的優勢，比如高強度放電(HID)照明鎮流器和等離子顯示(PDP)電視的供電電源等。SuperFET所提供的低導通損耗對于照明設備制造商尤其重要，因為他們正不斷尋求可滿足PFC要求的高效設計方案。同樣地，一些高端應用如等離子電視的AC/DC電源等亦要求通過高可靠性和高效率來降低其系統成本。舉例說，在電源應用中，SuperFET極低的導通阻抗可減少功率損耗，讓設計者毋需使用昂貴的冷卻系統，并節省設計空間。SuperFET的低門電荷也使得它們易于驅動，以較低的開關損耗來提高效率。

　　飛兆半導體通過提供一套完整的產品，包括PFC控制器、PWM控制器和光隔離放大器等，與先進的SuperFET系列相配合實現總體的系統解決方案。例如，SuperFET可配合飛兆半導體的FAN7527B器件，成為面向鎮流器應用具備成本優勢的PFC控制器，與FAN4822 ZVS PFC控制器或FAN4810 PFC控制器配合使用，能夠增強400W以上設備的性能。

　　先進的SuperFET也可與飛兆半導體新的FAN7380/FAN7382半橋驅動器IC結合使用，顯著提高鎮流器設計的效率。除了廣泛的產品組合外，飛兆半導體還具備覆蓋全球的功率設計實驗室和在線設計工具，協助設計者實現產品快速推出市場同時降低總成本。這些在線設計工具包括PFC指導教程、電源設計工具套件和FETBench產品選擇工具。

　　SuperFET備有多種封裝形式，包括TO-220、TO-220F、TO-263 (D2Pak)、TO-247和TO-3P。這些無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。

　　飛兆新款高壓SuperFET MOSFET器件有現貨供應，交貨期為收到訂單后12周內。

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