恩智浦推出全球首款低于1毫歐的MOSFET

恩智浦的全球首款MOSFET器件為業(yè)界設(shè)立MOSFET能耗新標(biāo)準(zhǔn)

    恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）近日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝（無(wú)損耗封裝：LFPAK）中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢(shì)，如電源OR-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器等。

    恩智浦資深國(guó)際市場(chǎng)產(chǎn)品經(jīng)理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場(chǎng)曠日持久的競(jìng)賽。我們?cè)谛耇rench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進(jìn)一步減小了導(dǎo)通電阻。對(duì)客戶而言，這一新的Trench技術(shù)為他們帶來(lái)許多優(yōu)勢(shì)，例如：提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容。”

    領(lǐng)先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封裝時(shí)25 V MOSFET的RDSon是0.9毫歐（典型值），30 V MOSFET的RDSon達(dá)到1.0毫歐（典型值）。 

    除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦還宣布推出面向電源、電機(jī)控制和工業(yè)市場(chǎng)的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25 V、30 V、40 V和80 V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。

    上市時(shí)間：PSMN1R2–25YL現(xiàn)已上市。
    有關(guān)恩智浦新型Trench 6 MOSFET器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)和更多信息，請(qǐng)?jiān)L問:http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體
恩智浦是飛利浦在50多年前創(chuàng)建的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。公司總部位于歐洲,在全球超過30個(gè)國(guó)家擁有28,000名員工，2008年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)到54億美元(包括手機(jī)及個(gè)人行動(dòng)通訊業(yè)務(wù))。恩智浦提供半導(dǎo)體、系統(tǒng)解決方案和軟件,為電視、機(jī)頂盒、智能識(shí)別應(yīng)用、手機(jī)、汽車以及其它廣泛的電子設(shè)備提供更好的感官體驗(yàn)。關(guān)于更多恩智浦的新聞,請(qǐng)參觀網(wǎng)站www.nxp.com。■