近日，中國南車公司表示，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定會上，研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500V高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項目代表我國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。
中國南車株洲所IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友透露，中國南車株洲所在IGBT項目上總投資超過20億元，目前該公司有近百位來自全球的頂尖專家從事IGBT器件芯片及模塊技術(shù)的研發(fā)，在IBGT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項難題，掌握該器件的成套技術(shù)，并在IGBT的規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國內(nèi)軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領(lǐng)域得到批量應(yīng)用，項目已申報專利20項，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項，實(shí)用新型專利2項。<
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
本文鏈接：中國南車擬大力開發(fā)半導(dǎo)體IGBT項目
http:m.mangadaku.com/news/48619.htm
http:m.mangadaku.com/news/48619.htm
文章標(biāo)簽： 中國南車/半導(dǎo)體/IGBT項目
0755-82905460
郵箱 
：
