安森美半導體推出180 nm工藝上經過認證的新IP模塊

    推動高能效創新的安森美半導體宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術上的經過認證的新的知識產權(IP)。這些新的經過認證的電路模塊將幫助安森美半導體的晶圓代工廠(GDS2)接口客戶把需要硅片重制(re-spin)的風險降至最低，因而幫助降低新設計的開發成本及縮短上市周期。

    安森美半導體的定制晶圓代工業務部持續提供新的IP模塊；這些IP模塊通過Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供應商開發的專有工藝的認證。最近通過認證的10個新的IP模塊提供的功能涵蓋從小間距列并行模數轉換器(ADC)及低溫兼容型低壓差分信令(LVDS)驅動器到超低功率振蕩器及極小占位面積一次性可編程(OTP)存儲器等。這些IP模塊適用及有利于廣泛的客戶終端市場，包括軍事/航空、醫療、消費、計算機、通信及汽車。這些經過認證的IP除了配合這些終端市場ASIC設計人員的工作，還將幫助設計公司降低成本，及給他們的終端客戶報價時提供更準確的計劃表。

    安森美半導體軍事/航空、數字、定制晶圓代工、集成無源器件(IPD)及圖像傳感器產品分部副總裁Vince Hopkin說：“把我們領先的半導體工藝上的混合信號IP通過認證，是我們策略的一個關鍵，以幫助多種多樣行業市場及終端應用的設計人員縮短他們新產品的上市周期及降低開發成本。使用通過認證的IP能減輕高昂的重新設計需要。有時候設計人員需要重新設計來解決開發階段未預料到的電路模塊性能問題或特性，因而可能嚴重地延遲產品的上市。”<