ST擴大碳化硅MOSFET產品系列，為更多應用帶來寬帶隙技術優勢

    意法半導體推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智能電網設備。

    意法半導體是業界少數具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產品系列，具有小于290mΩ的通態電阻 (RDS(ON)) 及高達200°C的最大工作結溫等諸多特性優勢；其高度穩定的關斷電能 (Eoff) 和柵電荷 (Qg) 可使開關性能在整個工作溫度范圍內表現始終如一。最終的低導通損耗和開關損耗配合超低泄漏電流，將有助于簡化熱管理設計，并最大限度地提高可靠性。

    除更低的電能損耗外，意法半導體的碳化硅MOSFET的開關頻率也同樣出色，較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 高出三倍，這讓設計人員能夠使用更小的外部元器件，進而降低產品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡化電源模塊、電動汽車等應用的散熱系統 (cooling-system) 設計。

    SCT20N120采用意法半導體獨有的HiP247™封裝，其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達200°C時，依然能夠維持與TO-247 工業標準功率封裝外觀兼容。<