Vishay新款快恢復二極管N溝道高壓MOSFET在進一步提高可靠性的同時，更降低了系統損耗

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻，在工業、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性，并且節能。

    今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造，充實了Vishay現有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相

    全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。

    在這些應用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。

    21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用里，可實現極低的導通和開關損耗。

    這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。

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