英飛凌推出整合IGBT與二極體功能的單晶片

    英飛凌科技(Infneon TEchnologies)推出6.5kV功率模組，在單一晶片上整合IGBT與飛輪二極體功能。新款RCDC(具備二極體控制功能的逆導IGBT)晶片，適合用于現(xiàn)代化高速火車與高效能牽引式機械、未來的HVDC電力傳輸系統(tǒng)，以及石油、天然氣與采礦等產(chǎn)業(yè)所使用的中電壓馬達。

英飛凌推出整合IGBT與二極體功能的單晶片

    相較于之前相同尺寸的模組，RCDC技術將電流密度提高33%，并改善了散熱效能，因此達成更長的生命周期、更高的可靠性，進而將所需的維護減到最少。

    運用RCDC技術，英飛凌擴充其高效能IGBT的6.5kVKE3產(chǎn)品組合。在正向與反向電流方向皆建置功率更高的矽區(qū)塊，提高了電流密度，這讓設計人員能夠增加系統(tǒng)輸出功率，而不需擴大面積。功率密度提高的效益，也可用來維持功率，同時減少IGBT的數(shù)目，進而縮減系統(tǒng)尺寸、重量與成本。

    英飛凌RCDC解決方案提供IHV-A高絕緣封裝，采用業(yè)界標準尺寸，可直接替代現(xiàn)有的應用。除了達成更高的功率密度外，將IGBT與二極體整合于單一晶片，也可大幅提高二極體I2t值，以及IGBT與二極體的熱阻抗(Rth/Zth)，后者確保整個運作過程中理想的散熱效能。更低的晶片溫度(Tvj)漣波，可延長運作壽命;使用閘極控制的選項，也可讓設計人員權衡取舍導通與切換損耗，以達成最高整體效率。

    RCDC模組現(xiàn)已開始提供工程設計樣品，搭配包含驅(qū)動器評估板的入門套件，預計于2015年第4季推出。為簡化與加快產(chǎn)品建置，英飛凌提供各種設計支援選項，包括應用手冊與控制概念。<