金升陽推出專為SiCMosfet設計的DC-DC模塊電源新品

    日前，金升陽公司與SiCMosfet行業龍頭企業合作，打造了一款SiCMosfet專用的隔離轉換DC-DC模塊電源——QA01C。

    SiCMosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢。據調查公司Yoledevelopmet統計，SiCMosfet現有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiCMosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業的新寵。

    SiCMosfet對比Si IGBT主要有以下優勢：低導通電阻RDS（ON），使SiCMosfet具有優越的正向壓降和導通損耗性能，更適應高溫環境下的工作；優良的輸入特性，即SiCMosfet擁有低柵極電荷，具備卓越的切換速率；寬禁帶寬度材料，SiCMosfet具有相當低的漏電流，更適應在高電壓環境中的應用。

    QA01C產品在效率高達83%的情況下，具有不對稱+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA輸出，完美滿足SiCMosfet的可靠開啟及關斷要求。低至3.5pF的隔離電容，允許QA01C工作在高頻應用中，不被重復充放電拖慢工作頻率。3500VAC高隔離耐壓，減少了高壓總線對低壓控制側的干擾。220uF大容性負載使得QA01C具有瞬時驅動大功率特性，更好地應對SiCMosfet對高頻開關的要求。

    目前，QA01C系列已經通過了UL/CE/CB60950認證，產品可靠性已經得到了權威機構的認可。<