2020年4月28日—推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），繼續擴充用于工業電機驅動應用的產品陣容，以進一步幫助客戶解決他們的具體設計挑戰。電機驅動系統正隨著工業自動化及機械人激增。這些系統要求在惡劣工業環境中達到高能效、精準的測量、準確的控制及高可靠性。要有效地開發應用于工業電機驅動的半導體，需要先進的設計、集成有源和無源器件的能力、精密的封裝包括基板材料，以及高質量和可靠性標準。
安森美半導體推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分別為25、35和50安培（A）版本的轉移成型功率集成模塊(TM-PIM)，用于1200伏（V）的應用，提供轉換器-逆變器-制動（CIB）和轉換器-逆變器（CI）配置版本。這些模塊包括6個1200 V IGBT、6個1600 V整流器和一個用于系統級溫度監控的負溫度系數（NTC）熱敏電阻。CIB版本使用一個附加的1200 V IGBT和一個二極管。新推出的模塊采用轉移成型封裝，延長溫度及功率的循環壽命。模塊尺寸僅為73 x 40 x 8毫米（mm），具有可焊接引腳，CIB和CI版本均具有一個標準化的引腳輸出。
公司同時推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴充了智能功率模塊（IPM）產品陣容，包括額定電壓650 V和1200 V，以及額定電流10 A至75 A。這些三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門雙極晶體管（Trench IGBT）、快速恢復二極管、門極驅動器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護，通過一個額定2500 Vrms/分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL1557認證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長功率循環壽命和散熱能力。
通過片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門極驅動器透過減低系統復雜性實現緊湊、高效和可靠的門極驅動器設計。這些器件分別提供4 A/6 A供應電流和汲取電流，同時還集成了去飽和(DESAT)、米勒鉗位、欠壓鎖定（UVLO）保護、使能（Enable）和穩壓VREF。
NCS21871零漂移運算放大器以一個45µV低輸入偏置電壓提供精確的信號調節，同時從-40°C至+125°C維持該精度，低輸入偏置漂移為0.4µV/°C。這些參數使其非常適合用于低邊電流檢測。
NCP730 LDO穩壓器提供150 mA，輸出電壓精度為±1％，工作輸入電壓范圍從2.7 V至38 V和具有低壓降。集成的軟啟動可抑制涌入電流，在過載情況下提供短路和過熱保護，使器件非常適合用于工業自動化應用。
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