東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

　　東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

　　中國(guó)上海，2021年11月30日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于今日開始支持批量出貨。

　　

　　TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型化。

　　TLP5702H的峰值輸出電流額定值為±2.5A。SO6L封裝可兼容東芝傳統(tǒng)的SDIP6封裝的焊盤[1]，便于替代東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]。SO6L比SDIP6更纖薄，能夠?yàn)殡娐钒褰M件布局提供更高的靈活性，并支持電路板背面安裝，或用于器件高度受限的新型電路設(shè)計(jì)。

　　這兩款光耦的最高工作溫度額定值均達(dá)到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易設(shè)計(jì)和保持溫度裕度。

　　此外，東芝提供的同系列器件還包括TLP5702H（LF4）與TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封裝的引線成型選項(xiàng)。

　　應(yīng)用：

　　工業(yè)設(shè)備

　　-工業(yè)逆變器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、光伏逆變器、UPS等。

　　特性：

　　-高峰值輸出電流額定值（ Ta＝-40℃至125℃）

　　IOP＝±2.5A（TLP5702H）

　　IOP＝±5.0A（TLP5705H）

　　-薄型SO6L封裝

　　-高工作溫度額定值：Topr（最大值）＝125℃

　　主要規(guī)格：

　　注：

　　[1]封裝高度：4.25毫米（最大值）

　　[2]現(xiàn)有產(chǎn)品：采用SDIP6封裝的TLP700H