中國，2021年8月27日——為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發布了MasterGaN3*和MasterGaN5兩款集成功率系統封裝，分別面向高達45W和150W的功率變換應用。
連同面向65W至400W應用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，這兩款新產品為設計開關式電源、充電器、適配器、高壓功率因數校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師選擇合適的氮化鎵(GaN)器件和驅動解決方案提供了更多的靈活性。
意法半導體的MasterGaN概念簡化了GaN寬禁帶功率技術替代普通硅基MOSFET的發展進程。新產品集成兩個650V功率晶體管與優化的高壓柵極驅動器和相關的安全保護電路，消除了柵極驅動器和電路布局設計挑戰。因為GaN晶體管可以實現更高的開關頻率，新的集成功率系統封裝可使電源尺寸比基于硅的設計縮小80%，并且具有很高的穩健性和可靠性。
MasterGaN3的兩個GaN功率晶體管的導通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和450mΩ，使其適用于軟開關和有源整流變換器。在MasterGaN5中，兩個晶體管的導通電阻值(Rds(on))都是450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓撲。
與MasterGaN產品家族的其他成員一樣，這兩款器件都有兼容3.3V至15V邏輯信號的輸入，從而簡化了產品本身與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設備的連接。新產品還集成了安全保護功能，包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅動器互鎖、過熱保護和關斷引腳。
每款MasterGaN產品都有一個配套的專用原型開發板，幫助設計人員快速啟動新的電源項目。EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5開發板都包含一個單端或互補驅動信號發生器電路。板載一個可調的死區時間發生器，以及相關的設備接口，方便用戶采用不同的輸入信號或PWM信號，連接一個外部自舉二極管來改進容性負載，為峰流式拓撲插入一個低邊檢流電阻。
MasterGaN3和MasterGaN5現已量產，采用針對高壓應用優化的9mm x 9mm GQFN封裝，高低壓焊盤間爬電距離為2mm。
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