Vishay推出業內最低的P溝道功率MOSFET導通電阻SiA433EDJ

這款20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有業內最低的導通電阻，在緊湊的2mm x 2mm的占位面積內實現了從18mΩ@4.5V至65mΩ@1.8V的導通電阻

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了近一半。
 
    SiA433EDJ具有超低的導通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，這些數值比最接近的競爭器件小40%和30%。
 
    新的MOSFET也是唯一同時具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓導致的更高柵極驅動電壓波動的應用，同時在采用更低輸入電壓的應用中提供更安全的設計。
 
    SiA433EDJ可以用作手持設備，如手機、智能手機、PDA、MP3播放器中的負載、電池和充電開關。MOSFET的低導通電阻意味著更低的導通損耗，節約能量并延長這些設備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半，卻能提供近似的導通電阻，其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節約出來的電路板空間用于其他產品特性，或是實現更小的終端產品。
 
    為減少ESD導致的故障，器件內置了一個齊納二極管，使ESD保護提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范，符合RoHS指令2002/95/EC，通過了完整的Rg測試。
 
    新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，將于2010年第一季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。■