三菱電機在PCIM中國展推出全新R系列HVIGBT模塊

    三菱電機將攜同三款新型的HVIGBT模塊，包括：3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列，在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展（展位號A13-A14）中亮相，為軌道牽引和大功率工業驅動，帶來更高性能、超可靠、低損耗的技術。

    三菱電機針對軌道牽引和大功率工業驅動的需要，特別設計了具有優良性能的HVIGBT模塊，尤注重損耗低、額定電流大以及運行結溫范圍大的特性，同時具備良好的開關控制特性以降低電磁干擾（EMI）。本次推出的三款HVIGBT模塊完全符合這些要求，并已經取得國際鐵路行業標準(IRIS) 認證。 

    3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不影響模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。

    新型二極管的使用減小了反向恢復電流，且軟反向恢復特性維持了現有二極管設計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A，而過往產品的最大額定電流只有1200A。實驗證明，通過調節導通和關斷柵極電阻值可以在比較大范圍內控制模塊的開關特性。

    6500V R系列HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區（SOA）寬的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復特性、功率損耗低和安全工作區（SOA）寬的特性，從而達至模塊的總的功率損耗低，可靠性高。

    新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列，電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運行溫度上限由過去的125°C提高到150°C，模塊的儲存最低溫度從過去的-40°C降低到-50°C。■