集成的5A MOSFET和RSENSE高度集成的熱插拔解決方案

    日前，高性能線性集成電路制造商凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 宣布推出 5A 熱插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4219，用于保護(hù)負(fù)載電源電壓范圍為 2.9V 至 15V 的低功率電路板。LTC4219 通過在加電時(shí)限制流向負(fù)載電源的浪涌電流，允許電路板安全地在一個(gè)帶電的背板上插入和拔出。熱插拔控制器一般需要若干支持組件。然而，LTC4219 在其電源通路中集成了一個(gè)電源 MOSFET 和檢測電阻器，以限制浪涌電流，從而減少了所需的外部組件數(shù)量。該器件的內(nèi)部 dV/dt 電路意味著無需外部柵極電容器。可調(diào)電流限制允許用戶在不同的負(fù)載條件下改變電流限制門限，例如在磁盤驅(qū)動(dòng)器旋轉(zhuǎn)至正常工作狀態(tài)時(shí)。高集成度和纖巧 DFN 封裝使 LTC4219 在空間受限應(yīng)用中成為使用方便的熱插拔解決方案。

    LTC4219 適用于多種 RAID、服務(wù)器、電信和工業(yè)應(yīng)用，尤其是在利用光纖通道 (Fibre Channel) 等技術(shù)的緊湊型電路板上，這類電路板由于尺寸小以及無法散出大量的熱量，因此功率一般限制為低于 25W。LTC4219 在設(shè)計(jì)時(shí)充分考慮了這些因素。于啟動(dòng)期間，將柵極斜坡率限制到安全的 0.3V/ms 來控制浪涌電流。利用檢測橫越內(nèi)部 7.5mΩ 檢測電阻器兩端的電壓并相應(yīng)調(diào)節(jié)內(nèi)部 33mΩ MOSFET 的柵源電壓來監(jiān)視負(fù)載電流。在啟動(dòng)和正常工作時(shí)，單獨(dú)的 ISET 引腳可隨需實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確度為 10% (5A) 的電流限制門限調(diào)節(jié)。此外，電流折返和電源良好電路確保開關(guān)受到保護(hù)，免受過大負(fù)載電流的影響，并指示是否保持了良好的電源狀況。LTC4219 還具有電流、溫度和故障輸出以及一個(gè)可調(diào)的電流限制定時(shí)器。

    LTC4219 具有專門的 12V (LTC4219-12) 或 5V (LTC4219-5) 版本，含有預(yù)置特定于 12V/5V 的門限。兩種器件都有商用和工業(yè)工作溫度級版本。LTC4219 采用小型 RoHS 兼容的 16 引腳 5mm x 3mm DFN 封裝，千片批購價(jià)為每片3.35 美元。

    照片說明： 具集成的電源 MOSFET 和檢測電阻器的 5A 熱插拔控制器

    性能概要：LTC4219

    · 小型占板面積

    · 具 RSENSE 的 33mΩ MOSFET 

    · 提供預(yù)置 12V 和 5V 版本

    · 可調(diào)以及準(zhǔn)確度為 10% (5A) 的電流限制

    · 電流和溫度監(jiān)視器輸出

    · 過熱保護(hù)

    · 故障前可調(diào)電流限制定時(shí)器

    · 電源良好和故障輸出

    · 可調(diào)浪涌電流控制

    · 采用 16 引線 5mm x 3mm DFN 封裝■