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ST推出首個采用90納米工藝的128Mb NAND閃存(圖)

　　閃存芯片供應商意法半導體(ST)日前宣布128兆位NAND閃存芯片NAND128W3A2BN6E的生產轉向90納米制造工藝，這一舉措有助于降低在對成本要求很高的消費設備中廣泛使用的存儲芯片的成本和功耗，這些設備包括數碼相機、語音筆、PDA、機頂盒(STB)、打印機和捆綁式閃存卡。ST的NAND128據稱是當今市場上僅有的一個采用90nm制造工藝的128-Mbit NAND閃存。

　　新產品證明了ST繼續開發低密度“小頁”NAND閃存產品的承諾，以支持正在使用目前已量產的該系列產品的用戶。NAND128W3A2BN6E是一個采用TSOP封裝的3V產品，以消費電子產品為目標應用。另兩款產品256-Mbit和512-Mbit的NAND閃存(均有3V和1.8V兩個版本)也將在今后幾個月內過渡到90納米制造工藝。

　　NAND128具有超高速的數據吞吐量和擦寫能力，該系列產品的地址線路和數據輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸，從而降低了芯片的引腳數量，并允許使用一個模塊化的NAND接口，使設備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高(或更低)密度的改進系統。

　　ST提供的軟件工具套件支持快速的產品開發，能夠延長存儲器芯片的使用壽命。工具包括糾錯代碼(ECC)軟件、壞塊管理(BBM)、平均讀寫算法、文件系統OS本機參考軟件和硬件仿真模型。壞塊管理能夠發現并更換一個讀寫失敗的區塊，將數據復制到一個有效的區塊內；平均讀寫算法通過在所有的區塊上分配擦寫操作實現優化器件的老化問題。

　　新的閃存芯片由1024個標稱16字節的區塊組成，每個區塊又分成512字節的頁面，每頁還有16個備用字節，同時每個頁面均可執行讀取與編程操作。備用字節用于糾錯、軟件卷標或壞塊識別。備份編程(Copy Back Program)模式能給儲存在某一個頁面的數據編程，然后將編程數據直接轉存到另一個頁面上，而無需額外的緩存。當頁面編程操作因一個損壞區塊而失敗時，這個功能特別有用。新器件還提供區塊擦除指令，擦除一個區塊的時間僅需2ms。每個區塊的耐擦寫能力為100,000次，數據保存期限為10年。

　　新器件還包含“無需介意芯片激活”功能，可簡化微控制器的接口設計，同時能簡化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內存的整合過程。另外，制造商在器件出廠前可以設定一個唯一的器件ID序列號，用戶利用一個用戶可編程序列號可以提高目標應用的安全功能。

　　NAND128W3A2BN6E已開始量產，價格區間在4美元到4.5美元之間，封裝為TSOP48無鉛封裝，工作溫度范圍-40到+85攝氏度。

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