4G牌照的發放為業界帶來一片光明。發牌既標志著4G新時代的開篇，也是我國在3G時代技術積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或將在新的時間節點下完成新的“使命必達”。

    邁向新制程

    隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進。

    全產業鏈的相對成熟是4G發牌時必需的考量，雖然在芯片環節還受限于多模多頻的挑戰，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。大唐電信集團董事長真才基就對記者表示，從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩定在28nm工藝上發展，因其產業化平臺越長，對提高終端供給能力越有好處。

    在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發展。但隨著TD-LTE時代的到來，隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說TD-LTD芯片的發展要汲取教訓的話，那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術。

    聯芯科技副總裁劉積堂也強調，對于TD-LTE芯片市場來說，在產業發展初期，基于40nm工藝芯片的數據類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產業成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進，以提供更佳的用戶體驗。聯芯正在研發的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出，將采用28nm工藝。

    締造新空間

    LTE FDD牌照暫未發放，以及中移動TD-LTE終端策略的改變，為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。

    在4G牌照中，中國移動、中國聯通、中國電信首批均獲得TD-LTE網絡經營許可，LTE FDD牌照暫未發放，這為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。TD產業聯盟秘書長楊驊就曾指出，國內企業由于緊靠中國移動的TD-SCDMA市場支撐，在LTE FDD領域積累相對不足，因而可先發展TD-LTE來滿足客戶的需求，當發展到一定程度需要LTE FDD頻譜使用的時候，再引入LTE FDD制式，這樣就會給國內企業一段時間去補LTE FDD的課，以具備為LTE FDD和TD-LTE同時提供服務的能力。

    此外，中移動TD-LTE終端策略的改變也帶來利好。據了解，中移動TD-LTE終端策略發生了重大調整，不再堅持“五模十頻”的硬指標，明年年初將會引入“三模”產品。楊驊指出，這大大降低了技術門檻，還可將4G芯片和專利費節省下來，國內芯片廠商也將迎來更大的發展空間。同時，這有助于中移動推“三模”的千元智能機，加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說，Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出，預計明年上半年，中國就會出現大量千元4G手機。

    對于另兩大運營商的需求，李春潮指出，中國電信對4G終端有不同需求，數據卡之類的產品并不需要CDMA。如果是智能終端，對4G手機的要求是同時兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM，Marvell的解決方案是“雙芯片”方案，比如用其PXA1088 LTE再外接CDMA的調制解調器，Marvell也會與中國電信探討合作。“中國聯通目前其4G終端方案與國際主流FDD運營商需求差別不大，Marvell目前的五模平臺可以滿足其需求。”李春潮進一步指出，“目前，Marvell的重點是加強與中國移動合作，按需、按時地把我們的方案推廣到市場上。”

    需要注意的事，雖然國內廠商暫時可以“放風”，但著眼于長遠還是要提早布局LTE融合及演進之道。“TD-LTE和LTE FDD很大程度是融合的，兩種技術在L2層以上的規范都是一樣的，只是在底層幀結構有所不同。從長遠來看，無論是4G或是將來的5G，都會在TD-LTE和LTE FDD兩種平臺平衡發展。從芯片的角度講，開發工作要與新技術和新標準同步進行。” Marvell移動產品總監張路表示，“LTE在加速演進，LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用，中國芯片廠商還應做相應的技術儲備和產品研發。”

    引發新挑戰

    具有強大數據和多媒體能力的高集成度智能手機芯片將是市場發展的主要方向，此外，在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。

    TD-LTE芯片主要分成調制解調器和智能平臺這兩類形態。張路提到，調制解調器芯片主要應用于高端智能手機，無線上網卡、Mi-Fi、Dongle和物聯網等;單芯片解決方案則應用于手機和平板電腦等智能終端。雖然產品還會以這些形態出現，但技術還會不斷發展。

    除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發展來看，TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數據與多媒體處理能力。聯發科技中國區總經理章維力說，在4G時代，數據流量的爆發和智能手機多媒體化的發展成為主流特征，具有強大數據和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發展的主要方向。

    此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出，一方面，相比2G、3G技術，LTE高速的數據傳輸處理和特有的天線技術，都需要消耗更多的功耗，但用戶對終端設備電池續航能力的要求卻在不斷提高;另一方面，技術的復雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積，隨著終端支持的頻段增多，通常射頻芯片需提供的接收通道也會增加，頻段增加影響射頻前端器件的數量，因此，多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設備的輕薄化和外觀設計的時尚化，都需要盡可能壓縮主板面積，功耗和面積已成為重要的挑戰。

    而終端價格不斷下探的壓力也將轉移到芯片產業。SoC系統集成是關鍵，需要把周邊的芯片技術不斷整合消化，這顯著提高了門檻。李春潮表示，在4G時代芯片廠商也要注重提供交鑰匙方案，這是未來發展一大趨勢。

    此外，4G的市場趨勢是面向全球市場的。“語音技術方案也是TD-LTE手機發展的重要環節。從LTE FDD的商用經驗來看，具備語音和寬帶數據能力的智能手機是用戶最為滿意的終端形態。” 劉積堂提到，“因此，終端廠商選擇平臺，也將從原來的單一市場轉而面向全球運營商，作為芯片廠商就需要緊跟通信技術標準演進。”

    成就新格局

    未來的競爭格局將發生較大變化，中國芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場更將領先于歐美芯片廠商。

    在4G發令槍響之后，新一輪的市場排位賽也拉開帷幕。從對決來看，李春潮說，目前在LTE芯片的國內外廠商中，國外廠商在LTE FDD與WCDMA技術方面比較有優勢，但在TD-SCDMA方面積累不夠。中國國內的一些公司強項是在TD-SCDMA技術領域，而在LTE FDD和WCDMA技術方面還要做很多工作。

    劉積堂說，TD-SCDMA芯片市場是國際巨頭們不太看中的細分市場，相對國內廠商來說缺少積累，TD-SCDMA是國內芯片公司難得的一個具有競爭力的市場。而在TD-SCDMA向TD-LTE演進中，國際巨頭開始全面覺醒，紛紛進入TD-LTE芯片領域，并且取得了后來居上的業績，國內芯片公司在4G時代面臨的全模競爭壓力是十分巨大的。

    明年主導廠商在TD-LTE芯片市場的競爭將更趨激烈。從市場來看，高通的優勢明顯，但最近因中國的反壟斷調查以及中移動終端芯片策略改變氣勢有所“收斂”。Marvell的LTE單芯片平臺在相關測試和招標環節也表現搶眼，最近有多款基于Marvell的4G平臺的MiFi終端和智能手機通過了中國移動的OT測試，成為首批上市的4G終端。英特爾方面稱，基于22nm的手機芯片組也將面世，將可體現出制程方面的優勢。博通也是動作頻頻，已推出了五模LTE芯片，體積相比業界其他解決方案小35%。

    國外廠商在加緊布局，國內廠商也不忘排兵布陣，海思、展訊、聯芯科技、聯發科等廠商均在全力沖刺。聯發科技今年底即將推出的LTE Modem會同時支持LTE FDD與TDD-LTE，明年上半年，基于四核或八核AP+4G Modem解決方案將進入量產，最終4G SoC將于明年下半年量產。聯芯科技也將在年底推五模SoC智能手機芯片。

    “在4G時代，國內公司需要突破多模通信技術積累、巨額研發資金投入、領先芯片設計工藝掌握、智能芯片公司品牌的培育、操作系統技術把握、多媒體應用技術創新等多重關口。”劉積堂進一步指出，“因為具備成本和快速市場響應的優勢，未來的競爭格局將發生較大變化，中國芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場更將領先于歐美芯片廠商。”<