安森美半導體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列

    推動高能效創新的安森美半導體推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，它們經過設計及優化，提供領先業界能效，優于市場現有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務器、網絡設備及高功率密度DC-DC轉換器等多種應用的開關器件，或者用于配合負載點(POL)模塊中的同步整流。這些器件提供包含及不包含集成一個肖特基二極管的不同版本，能幫助工程師提供更高能效。

    安森美半導體深知終端產品性能越來越強調高能效，故優化了新功率MOSFET的設計、材料及封裝，以降低損耗。0.7毫歐(mΩ)的一流導通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低輸入電容確保導電、開關及驅動器等損耗降至最低。安森美半導體還深思熟慮，確保這些MOSFET提供較現有器件更優的熱性能和低封裝阻抗及感抗。

    安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“將導電及開關損耗降至最低以優化總能效，是越來越多終端市場設計人員極希望可實現的目標。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平，幫助我們客戶達到他們嚴格的設計性能目標。”

    封裝及價格

    NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為0.86和0.67美元。<