您的位置：電源在線首頁>>行業(yè)資訊>>新品速遞>>ST降低車用功率場效應(yīng)MOS晶體管電阻正文

ST降低車用功率場效應(yīng)MOS晶體管電阻

　　意法半導(dǎo)體日前針對汽車市場推出一個新的大電流功率場效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的 STripFET™ 專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。 新產(chǎn)品 STD95N04 是一個40V的標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5毫歐。　

　　這個80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS（防抱死制動系統(tǒng)）設(shè)計(jì)的。與采用傳統(tǒng)的溝道技術(shù)制造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價(jià)格和導(dǎo)通電阻性能上極具競爭力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動要求。

　　STD95N04符合汽車電工理事會（AEC）組件技術(shù)委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作溫度175℃ ，100%通過雪崩測試。

　　ST新的STripFET技術(shù)以密度大幅度提高的單元為基礎(chǔ)，導(dǎo)通電阻和功耗比上一代技術(shù)更低，占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應(yīng)MOS晶體管將采用相同的技術(shù)，以滿足DPAK (30V, 邏輯電平, 典型導(dǎo)通電阻在4.5V時(shí)等于4.5毫歐 ) 和 D2PAK (40V,標(biāo)準(zhǔn)電平, 典型導(dǎo)通電阻在10V時(shí)等于2.0毫歐) 的需求。

　　采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現(xiàn)已投入量產(chǎn)。 訂購10,000件，單價(jià)0.38美元。

   免責(zé)聲明：本文僅代表作者個人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請讀者僅作參考，并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。

關(guān)于該條新聞資訊信息已有0條留言，我有如下留言：

請您注意：
·遵守中華人民共和國的各項(xiàng)有關(guān)法律法規(guī)
·承擔(dān)一切因您的行為而導(dǎo)致的法律責(zé)任
·本網(wǎng)留言板管理人員有權(quán)刪除其管轄的留言內(nèi)容
·您在本網(wǎng)的留言內(nèi)容，本網(wǎng)有權(quán)在網(wǎng)站內(nèi)轉(zhuǎn)載或引用
·參與本留言即表明您已經(jīng)閱讀并接受上述條款

驗(yàn)證碼：

用戶名： 密碼： 匿名留言   免費(fèi)注冊會員