2019年9月26 日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產品系列，與傳統硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統尺寸，并專門針對速度關鍵型功率轉換應用進行了優化。
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實現超高性能與高效運行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優于傳統硅半橋驅動器。此器件還具有1 pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制，可讓設計人員優化系統內的死區時間，進而改善效率。
LMG1210擁有3.4 ns高側/低側延遲匹配、4 ns最小脈寬和內部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅動電壓。本驅動器還具備超過300 V/ns的業內超高共模瞬態抗擾度 (CMTT)，可實現較高的系統抗擾性。
TI LMG1210驅動器適用于高速DC/DC轉換器、電機控制、D類音頻放大器、E類無線充電、RF包絡跟蹤以及其他功率轉換應用。
更多信息，敬請訪問www.mouser.cn/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-drivers。
貿澤電子擁有豐富的產品線與貼心的客戶服務，積極引入新技術、新產品來滿足設計工程師與采購人員的各種需求。我們庫存有海量新型電子元器件，為客戶的新一代設計項目提供支持。Mouser網站Mouser.cn不僅有多種高級搜索工具可幫助用戶快速了解產品庫存情況，而且網站還在持續更新以不斷優化用戶體驗。此外，Mouser網站還提供數據手冊、供應商特定參考設計、應用筆記、技術設計信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實現超高性能與高效運行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優于傳統硅半橋驅動器。此器件還具有1 pF的低開關節點電容和用戶可調的死區時間控制，可讓設計人員優化系統內的死區時間，進而改善效率。
LMG1210擁有3.4 ns高側/低側延遲匹配、4 ns最小脈寬和內部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅動電壓。本驅動器還具備超過300 V/ns的業內超高共模瞬態抗擾度 (CMTT)，可實現較高的系統抗擾性。
TI LMG1210驅動器適用于高速DC/DC轉換器、電機控制、D類音頻放大器、E類無線充電、RF包絡跟蹤以及其他功率轉換應用。
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本文鏈接：貿澤推出TI LMG1210 MOSF
http:m.mangadaku.com/news/2019-9/2019930182053.html
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