近日，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN)陶瓷。該器件采用半橋配置，EasyDUAL 1B封裝的導通電阻（R DS(on)）為11 mΩ，EasyDUAL 2B封裝的導通電阻（R DS(on)）為6 mΩ。升級為高性能AIN后，該1200 V器件適合用于高功率密度應用，包括太陽能系統、不間斷電源、輔助逆變器、儲能系統和電動汽車充電樁等。
EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術。由于DCB材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統壽命。
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EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現在即可訂購。如欲了解更多信息，敬請訪問www.infineon.com/easy。
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英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2020財年（截止9月30日），公司的銷售額達85億歐元，在全球范圍內擁有約46,700名員工。2020年4月，英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購，成功躋身全球十大半導體制造商之一。
英飛凌在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。更多信息，請訪問www.infineon.com
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