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日經(jīng):美日企業(yè)主導第三代半導體專利

2021/10/8 17:01:35   電源在線網(wǎng)
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  根據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》7日報導,第三代半導體碳化硅(SiC)的專利競爭激烈,相關(guān)專利數(shù)量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業(yè)。

  其中第一名是美國科銳(Cree),接下來是日本羅姆(Rohm)、住友電工、三菱電機和Denso。

  圖片來自:日本經(jīng)濟新聞​

  日本經(jīng)濟新聞報道稱,根據(jù)從事專利分析的日本Patent Result所整理出的數(shù)據(jù),在與第三代半導體碳化硅有關(guān)的專利方面,美國Cree所持有的專利數(shù)量最多,二到四名則全部被日本企業(yè)包辦。

  Patent Result的計算方式是基于2021年7月29日為止的美國已發(fā)行專利數(shù)量,再把數(shù)量及矚目程度轉(zhuǎn)換成分數(shù)來算出得分。

  碳化硅可取代以往半導體材料的硅利光(Silicone),特別是在功率半導體等用途上,可提升性能、也有利節(jié)能。目前碳化硅已普遍使用在電動車和太陽光電系統(tǒng)的變頻器上頭,用途也愈來愈廣。還有在脫碳潮流的發(fā)展之下,碳化硅的應用也備受矚目。

  按照Patent Result的分析,第一名Cree的強項是在碳化硅基板和磊晶領(lǐng)域,第二名和第五名的羅姆和Denso的專長是在電力損失的降低方面,第三名的住友電工擅長于碳化硅的結(jié)晶結(jié)構(gòu),第四名的三菱電機則在半導體裝置的構(gòu)造方面擁有強項。

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