中國，2021年12月10日——服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應用。
作為SiC功率MOSFET市場的領導者，意法半導體整合先進的設計技術，進一步挖掘SiC的節能潛力，繼續推動電動汽車和工業市場變革。隨著電動汽車市場加速發展，許多整車廠商和配套供應商都在采用800V驅動系統，以加快充電速度，幫助減輕電動汽車重量。新的800V系統能夠幫助整車制造商生產行駛里程更長的汽車。意法半導體的新一代SiC器件專門為這些高端汽車應用進行了設計優化，包括電動汽車動力電機逆變器、車載充電機、DC/DC變換器和電子空調壓縮機。新一代產品還適合工業應用，可提高驅動電機、可再生能源轉換器和儲能系統、電信電源、數據中心電源等應用的能效。
意法半導體汽車和分立器件產品部副總裁、功率晶體管事業部總經理Edoardo Merli表示：“我們繼續推進這一激動人心的技術發展，在芯片和封裝兩個層面不斷創新。作為一家全盤掌控供應鏈的SiC產品制造商，我們能夠為客戶提供性能持續改進的產品。我們在不斷地投資推進汽車和工業項目，預計2024年意法半導體SiC營收將達到10億美元�！�
意法半導體目前已完成第三代SiC技術平臺相關標準認證，從該技術平臺衍生的大部分產品預計在2021年底前達到商用成熟度。標稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設計人員研發從市電取電，到電動汽車高壓電池和充電機供電的各種應用提供更多選擇。首批上市產品是有650V的SCT040H65G3AG和750V裸片形式的的SCT160N75G3D8AG。
參考技術信息
意法半導體最新的平面MOSFET利用全新的第三代SiC技術平臺，為晶體管行業樹立了新的品質因數(FoM)標桿，業界認可的FoM[導通電阻(Ron)x裸片面積和Ron x柵極電荷(Qg)]算法表示晶體管能效、功率密度和開關性能。用普通硅技術改善FoM變得越來越困難，因此，SiC技術是進一步改進FoM的關鍵。意法半導體第三代SiC產品將引領晶體管FoM進步。
碳化硅MOSFET的單位面積耐受電壓額定值比硅基MOSFET高，是電動汽車及快速充電基礎設施的最佳選擇。SiC還有一個優點，寄生二極管開關速度非�？�，電流雙向流動特性適用于電動汽車對外供電(V2X)車載充電機(OBC)，可以從車載電池取電供給基礎設施。此外，SiC晶體管的開關頻率非常高，為在電源系統中使用尺寸更小的無源器件提供了可能，從而可以在車輛中使用更緊湊和輕量化的電氣設備。這些產品優勢還有助于降低工業應用中的擁有成本。
意法半導體第三代產品有多種封裝可選，包括裸片、分立功率封裝(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)和ACEPACK系列的功率模塊。這些封裝為設計者提供了創新功能，例如，專門設計的冷卻片可簡化芯片與電動汽車應用的基板和散熱器的連接，這樣，設計人員可以根據應用選擇專用芯片，例如，動力電機逆變器、車載充電機(OBC)、DC/DC變換器、電子空調壓縮機，以及工業應用，例如，太陽能逆變器、儲能系統、電機驅動裝置和電源。
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