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1200V增強(qiáng)型碳化硅縱向結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊

摘要：最近的模塊研發(fā)工作已經(jīng)生產(chǎn)出封裝在SP1模組中的快速開(kāi)關(guān)，1200V、13mΩ、增強(qiáng)型SiC JFET半橋模塊。這些模塊由36mm2 SiC VJFET和23mm2肖特基管的并聯(lián)組合而成。在ID=100A條件下，獲得2.7mΩ-cm2的比導(dǎo)通電阻。開(kāi)關(guān)測(cè)試采用了標(biāo)準(zhǔn)的雙脈沖感性負(fù)載電路，在600V、100 A、溫度分別為25℃和150℃的條件下，得到了歷史最低的總開(kāi)關(guān)損耗——100A、150℃下為1.25mJ。本文詳細(xì)介紹測(cè)試的開(kāi)關(guān)性能、所采用的柵極驅(qū)動(dòng)電路，以及獲得這些結(jié)果推薦使用的緩沖器。 敘詞：模塊 SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 開(kāi)關(guān)損耗 緩沖器 Abstract： Latest module research has made possible the production of fast switch that packed in SP1 module suit, an enhanced SiC JFET half-bridge module with 1200V and 13m. The modules are parallel-connected with 36mm2 SiC VJFET and 23mm2 SBD. Under ID=100A, it achieves the specific on-resistance 2.7m-cm2. Standard dual-pulse inductive load circuit is applied to test the switch. Under the condition of 600V, 100A, with temperature respectively being 25 and 150, it achieves record-lowest general switch loss: with 100A, and 150, it is 1.25mJ. The article introduces in detail the function of the switch, the grid drive circuit applied, and the bumper recommended to achieve the rusults. Keyword：Module, SiC, Grid drive, Switch loss, Bumper

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