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用于未來軌道牽引電路的雙SiC MOSFET 模塊的特性檢測

摘要：硅IGBT 已經廣泛用于軌道牽引變頻器，不久的將來，碳化硅(SiC) 技術將在3 個方向上進一步擴展開關器件的極限：更高的阻斷電壓、更高的工作溫度和更高的開關速度。如今，第一批SiC MOSFET 模塊已經有效的投向市場，并且很有希望。雖然目前在阻斷電壓方面仍有待提高，但這些寬禁帶器件將大大改善牽引電路的效率，尤其是在開關損耗上預期會有顯著的降低，從而導致功率- 重量比的大幅改善。 敘詞：IGBT，SiC，MOSFET，模塊，開關損耗，軌道牽引變頻器 Keyword：IGBT, SiC MOSFET, Module, Switch loss, Rail traction transducer

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