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絕緣柵雙極晶體管IGBT特性與研發(fā)（一）

摘要：本文闡述了絕緣柵雙極晶體管IGBT的結(jié)構(gòu)、靜態(tài)、動態(tài)特性、工作原理、關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用情況，結(jié)合國內(nèi)IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀，探討了IGBT研發(fā)的技術(shù)動向。 敘詞：IGBT 結(jié)構(gòu) 工作原理 特性 研制 Abstract：This paper elaborate insulated-gate bipolar transistor IGBT frame and static state and　dynamic characteristic and work elements and develop　aspect ，combine domestic IGBT developactuality，discuss IGBT develop technique pulse。 Keyword：IGBT frame work elements characteristic develop

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