大、中功率MOSFET與IGBT驅(qū)動(dòng)電路方案探討
作者：徐小杰 侯振義 上傳時(shí)間：2004/12/9 8:59:41
摘要： 本文對應(yīng)用于大、中功率情況下的MOSFET與IGBT的驅(qū)動(dòng)電路方案進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并給出了具體的實(shí)現(xiàn)方案。
敘詞：驅(qū)動(dòng)電路 集成驅(qū)動(dòng)器 隔離
Abstract： This paper mainly discusses the driving circuit for MOSFET and IGBT used in high or medium power, and gives the concrete schema of realization respectively.
Keyword：driving circuit; integrated drives; isolation
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－－本文摘自《電源世界》，已被閱讀13004次
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