公司名稱：廈門超力電子有限公司
所屬類別：電源產(chǎn)品分類>>模塊電源(DC/DC)
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更新時間：2012/1/25 13:18:06

第三代晶閘管模塊，性能優(yōu)且穩(wěn)，國際領先。

一、特點

·單向導電性指標，“漏電流”只及標準的1/200且長期穩(wěn)定。

　　　·高級DBC底板使模塊工作壽命指標，承受冷熱沖擊次數(shù)至少高過標準10倍（氧化鋁DBC底板為5倍）�！　　�

　　　·散熱能力最強，同等條件溫升最低，避免快速熱老化擊穿。

·浪涌電流為額定值的19～42倍（標準16倍）。

·電壓臨界上升率高 dv/dt≥1000v/μs，不易誤觸發(fā)。

·額定電流3～4倍(標準為1倍)時，管壓降只有1.2～1.7V。

·配上瞬態(tài)衰減器，可承受4KV脈沖群、浪涌過電壓，避免快速電老化擊穿，耐壓無須超過1600V。

　它以前太貴，工藝新突破使工業(yè)級產(chǎn)品的價格降到與國產(chǎn)可控硅模塊差不多，便于普及應用。

二、電連接

模塊內含有二個晶閘管芯；通用電連接型式，代號為C，見下圖。1、2、3為功率端，配有不銹鋼螺釘，可作為一個整流臂，用于直流電路；也可把2、3短接成一個端，1為另一端，構成“反并聯(lián)”連接，用于交流電路。5、6端分別為對應的晶閘管的門極控制端，可用電線錫焊后引出。





　
三、主要應用

整流器、充電器、變流器、無功補償節(jié)電器、交流調壓器、固態(tài)開關等。

四、模塊底板

市面上的晶閘管模塊絕大多數(shù)是第一代產(chǎn)品，3mm 厚的銅底板沉甸甸的。銅板、陶瓷層、硅芯片三層材料熱膨脹系數(shù)相差很大，冷熱沖擊使層間開裂損壞，屬淘汰產(chǎn)品。

　第二代晶閘管模塊采用氧化鋁DBC（Direct Bonding Copper）底板，由0.3mm薄銅皮與氧化鋁（白色）鍵合成一體難以開裂，見圖2。但是氧化鋁的熱膨脹系數(shù)與硅芯片相差還不夠小，二者之間還會微裂。

第三代晶閘管模塊采用高級DBC底板，見圖3，由0.3mm薄銅皮與高級陶瓷層（白色）鍵合而成一體難以開裂。而且高級陶瓷層與硅芯片的熱膨脹系數(shù)相接近，也不易開裂。福建省電子產(chǎn)品監(jiān)督檢測所測試證實：產(chǎn)品耐用性指標“承受冷熱循環(huán)次數(shù)”達到JB/T7826-1995（即IEC TC47）標準的10倍以上。模塊“工作壽命”難題才得到滿意解決。目前國際上只有個別廠家能生產(chǎn)（第三代）長命晶閘管模塊。

五、應用要點

1、模塊額定電流Irms（有效值）應按其I2t選擇。一般模塊電流 Irms應大于負載額定電流的2～4倍。此外還應考慮啟動電流的倍數(shù)和啟動時間。

　　2、外加過電流保護電路可在電流超限時立即停止觸發(fā)信號，卻無法阻止晶閘管繼續(xù)導通至零電流為止，因為晶閘管是不可關斷器件。所以這種保護不完全，晶閘管過電流和短路保護用快速熔斷器最可靠。

　　3、實踐證明，380V星形連接應選擇1600V的晶閘管，還應加衰減器方可承受4KV瞬態(tài)電壓，避免晶閘管快速電老化擊穿，大大延長工作壽命。衰減器連接在1、2和2、3之間，2～3年更新1次。



　
六、模塊安裝

1、模塊底板與散熱器之間的接觸面一定要平整、光滑、清潔；如有毛刺、沙礫，可能刺傷底板電擊穿。二接觸面之間應墊上本公司的絕緣導熱墊片（一次性使用）；再用螺釘適度擰緊。

2、外接導線的端頭應焊接銅鼻，再用不銹鋼螺釘連接銅鼻與模塊功率端；接觸面之間涂導電膏避免接頭過熱，有利防腐防氧化。銅鼻最好鍍銀，連接孔約Ф6，不宜過大。

3、安裝尺寸：圖1；2；3分別對應型號MTC27、50、60、115；MTC130、180；MTC250、320、500。..



　


七、型號






八、技術數(shù)據(jù)表

　　

參數(shù)
型

號
MTC27-16CM　　　　　　　　　　　　　　　
MTC49-16CM
MTC60-16CM
MTC116-16CM
MTC130-16CM
MTC181-16CM
MTC250-16CM
MTC320-16CM
MC500-16CM

電流
有效Irms
50 A
80 A
100 A
180 A
300 A
300 A
400 A
500 A
785A

平均Iavm
25 A
49 A
60 A
116 A
130 A
181 A
250 A
320 A
500A

浪涌電流倍數(shù)Ism/Iavm　
19

倍
23

倍
25

倍
19

倍
42

倍
33

倍
34

倍
29

倍
30

倍

峰值電壓Vrrm
每個管芯1600V，另加瞬態(tài)衰減器可承受4KV脈沖群、浪涌電壓沖擊

I2t，　 K*A2S
1.35
6.6
11.2
25.3
150
180
360
420
1120

di/dt，A/μS
150
100

dv/dt，V/μS
1000

門極功率Pgm
10 W
120 W

最高結溫Tvjm
125℃
140℃

漏電流Irrm
3 mA
5 mA
10 mA
70 mA

當It=？ A時

正向管壓降Vt
80A
200A
300A
600A
1200A

1.65V
1.75V
1.57V
1.50V
1.36
1.25V
1.36
1.32
1.3V

門極

電壓
Vto
0.85
　0.80
0.85
0.80

反向　　　　　　　　　　　
峰值　Vrgm= 10V

門極

觸發(fā)
電壓
Vgt=1.5 V
2.5V
　　　　　Vgt=2 V

電流
Igt=100 mA
150 mA






門極不觸發(fā)電壓Vgd=0.25V、門極不觸發(fā)電流=Igd=10Ma；絕緣底板耐壓3KV，另加導熱絕緣片。