SVD2N60M/F/D N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的S-Rin 平面高壓VDMOS工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原跑設計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應用于AC-DC開關電源.DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PMW馬達驅(qū)動
特點
*2A 600V,RDS(ON)=4.02Ω@VGS=10V
*低柵極極電荷量
*低反向傳輸電容
*開關速度快
*提升了dv/dt能力