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供功放對管2SC5196/2SA1939

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信息類型：庫存信息　　所屬類別：電子元件
地區城市：浙江省－\杭州市　　更新時間：2011-5-31 8:29:25
聯系人：沈斌　　有效期限：2012-5-31 8:29:25
公司名稱：杭州富陽奧星電子有限公司
電子信箱：hzdcean@163.com 　　聯系電話：0571-63342995

詳細描述

型號：2SC5196

NPN硅大功率晶體管

封裝形式：TO-3PN

電特性：

極限值（除非另有規定 Tamb= 25℃）

參數名稱	符號	額定值	單位
集電極—發射極電壓	V_CE0	80	V
集電極—基極電壓	V_CBO	80	V
發射極—基極電壓	V_EBO	5	V
集電極電流	I_C	6	A
基極電流	I_B	0.6	A
耗散功率	Pc	60	W
結溫	Tj	150	℃
貯存溫度	Tstg	-55 ~ +150	℃

電參數（除非另有規定Tamb=25℃）

參數名稱	符號	測試條件	規范值			單位
參數名稱	符號	測試條件	最小	典型	最大	單位
集電極-基極截止電流	I_CB0	V_CB=80V, I_E=0	—	—	5.0	uA
發射極-基極截止電流	I_EB0	V_EB=5V,I_C=0	—	—	5.0	uA
集電極-發射極擊穿電壓	V_(BR)CEO	I_C=50mA, I_B=0A	80	—	—	V
直流電流增益	h_FE1	Vce=5V Ic=1A	55	—	160
直流電流增益	h_FE2	Vce=5V Ic=3A	35	75	—
集電極-發射極飽和電壓	V_CE(sat)	I_C=5A, I_B=0.5A	—	0.45	2.0	V
基極-發射極飽和電壓	V_BE	V_CE=5V, I_C=3A	—	0.92	1.5	V
特征頻率	f_T	Vce=5V，Ic=1A	—	30	—	MHz
a: 脈沖測試

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