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RAMTRON串行SPI接口 FM25V05

無(wú)圖片
信息類(lèi)型:跳蚤市場(chǎng)    所屬類(lèi)別:電子元件
地區(qū)城市:廣東省 -深圳市 更新時(shí)間:2012-4-20 17:57:27
聯(lián) 系 人: 有效期限:2012-4-27 16:45:31
公司名稱(chēng):深圳市華辰信科電子有限公司
電子信箱:daisy@cnstarit.com    聯(lián)系電話:0755-25159486
詳細(xì)描述
是否提供加工定制 類(lèi)型 存儲(chǔ)器
品牌 RAMTRON 型號(hào) FM25V05
封裝 SOIC8 批號(hào) new

串行

I2C接口是一個(gè)被廣泛使用的通過(guò)串行時(shí)鐘(SCL)和串行數(shù)據(jù)線(SDA)實(shí)現(xiàn)主從控制的協(xié)議。通過(guò)器件的片選引腳A0-A2可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)存儲(chǔ)器駐留在I2C總線上。I2C總線協(xié)議也可設(shè)計(jì)用來(lái)支持多點(diǎn)應(yīng)用。

 

512Kbit位非易失性鐵電存儲(chǔ)器
• 結(jié)構(gòu)容量為64K x 8位
 讀/寫(xiě)次數(shù)達(dá)到100萬(wàn)億(1014
• 掉電數(shù)據(jù)保存10年

• 寫(xiě)數(shù)據(jù)無(wú)延遲
• 采用先進(jìn)的高可靠性鐵電制造工藝

高速串行外設(shè)接口- SPI
 總線頻率可達(dá)40MHz
• 硬件上可直接替換串行Flash
• SPI模式0&3(CPOL,CPHA=0,0&1,1)

寫(xiě)保護(hù)方案
• 硬件保護(hù)
• 軟件保護(hù)

器件ID和序列號(hào)
 器件ID能讀出制造商、產(chǎn)品密度和版本信息
 唯一的序列號(hào)(FM25VN10)

 

低電壓,低功率
 工作電壓:2.0V~3.6V
 待機(jī)電流(典型值):90µA 
 睡眠模式電流(典型值)5 µA

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
• 工業(yè)級(jí)溫度:-40~+85
• 8腳環(huán)保/RoHS SOIC封裝

訂購(gòu)信息
FM25V05-G - Device ID,2.0~3.6V - 8腳 環(huán)保/RoHS SOIC封裝
FM25VN05-G - Device ID,S/N,2.0~3.6V - 8腳 環(huán)保/RoHS SOIC封裝
FM25V05-GTR -  Device ID (8腳 環(huán)保/RoHS SOIC, 卷帶包裝)
FM25VN05-GTR - Device ID, S/N (
8腳 環(huán)保/RoHS SOIC, 卷帶包裝)
型號(hào) 容量 最大工作電流 最大讀寫(xiě)頻率 封裝 電壓 AEC-Q100認(rèn)證 唯一S/N
FM25H20 2Mb 10mA 40MHz TDFN8, EIAJ SOIC8 2.7-3.6V    
FM25V10 1Mb 3.0mA 40MHz SOIC8 2.0-3.6V   64-bit
FM25V05 512Kb 3.0mA 40MHz SOIC8 2.0-3.6V   64-bit
FM25V02 256Kb 2.5mA 40MHz SOIC8 or DFN8 2.0-3.6V Grade 3 64-bit
FM25W256 256Kb 2mA 20MHz 8-Pin SOIC 2.7-5.5V    
FM25V01 128Kb 2.5mA 40MHz 8-Pin SOIC 2.0-3.6V Grade 3 64-bit
FM25640C 64Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25640B 64Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25CL64B 64Kb 3.0mA 20MHz SOIC8 或 DFN8 2.7-3.6V    
FM25CL64B-GA 64Kb 3mA 16MHz 8-Pin SOIC 3.0-3.6V Grade 1  
FM25640B-GA 64Kb 2.7mA 4MHz 8-pin SOIC 4.5-5.5V Grade 1  
FM25C160C 16Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25C160B 16Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25C160B-GA 16Kb 3mA 15MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V Grade 1  
FM25L16B 16Kb 3.0mA 20MHz SOIC8 或 DFN8 2.7-3.6V    
FM25L04B 4Kb 3.0mA 20MHz SOIC8 或 DFN8 2.7-3.6V    
FM25L04B-GA 4Kb 2mA 10MHz 8-Pin SOIC 3.0-3.6V Grade 1  
FM25C04C 4Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25040B 4Kb 4.0mA 20MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V    
FM25040B-GA 4Kb 3mA 14MHz 8-Pin SOIC 4.5-5.5V Grade 1  
FM25L512 (NRND) 512Kb 12mA 20MHz TDFN8 3.0-3.6V    
FM25L256B (NRND) 256Kb 10mA 20MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V    
FM25256B (NRND) 256Kb 15mA 20MHz SOIC8 4.5-5.5V    
FM25CL64 (NRND) 64Kb 10mA 20MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V Grade 3  
FM25CL64-GA (EOL) 64Kb 7mA 16MHz SOIC8 3.0-3.6V Grade 1  
FM25640 (NRND) 64Kb 3.0mA 5MHz SOIC8 4.5-5.5V Grade 3  
FM25640-GA (EOL) 64Kb 2.7mA 4MHz SOIC8 4.5-5.5V Grade 1  
FM25L16 (NRND) 16Kb 5.5mA 18MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V Grade 3  
FM25L16-GA (EOL) 16Kb 5.5mA 15MHz 8-Pin SOIC 3.0-3.6V Grade 1  
FM25C160 (NRND) 16Kb 8mA 20MHz SOIC8 4.5-5.5V Grade 3  
FM25C160-GA (EOL) 16k 6.5mA 15MHz SOIC8 4.5-5.5V Grade 1  
FM25L04 (NRND) 4Kb 6mA 14MHz SOIC8 DFN8 2.7-3.6V    
FM25040A-GA (EOL) 4Kb 6mA 14MHz SOIC8 4.5-5.5V Grade 1  
FM25040A (NRND) 4Kb 8mA 20MHz SOIC8 4.5-5.5V    
FM25L04-GA (EOL) 4Kb 2.2mA 10MHz SOIC8 3.0-3.6V Grade 1  


SPI接口常見(jiàn)問(wèn)題解答

Q: What are the key advantages over EEPROM and Flash?

 

A: 1)Speed.The “RAM” part of the F-RAM name tells us that it is a RAM, not a ROM.  Of course, EEPROM and Flash are not truly ROMs but writing to them can be very slow.  An F-RAM’s write cycles are completed immediately whereas an EEPROM/flash needs 5 to 10 ms.
2)Low Power Writes.  Writes to the F-RAM cell occur at low voltage and very little current is needed to change the data. With EEPROM and Flash, high voltages (10V charge pump) are needed and writes require 5 ms to complete a page buffer write.  The energy needed is much higher than F-RAM writes.  If E=P*t, then 5ms of write time will necessarily require 200x more energy than F-RAM.
3)High Endurance.  Writes are destructive – and floating gate devices eventually wear out; typical endurance is 100,000 to 1 million cycles. F-RAM experiences 1E12 read/write cycles or greater.

Q: Why can’t I get SPI writes to work?

 

A: You must issue a WREN opcode before the WRITE opcode.  The WREN opcode requires the /CS pin to go low, clock-in the opcode (06h), then /CS must return high.  The WRITE opcode then follows.  The /CS pin goes low, clock-in the opcode (02h), clock-in the address (1 or 2 bytes), clock-in the data (1 or many bytes), then /CS must return high.

Q: Why use I2C over SPI, or vice versa?

 

A: Two-wire (I2C) is the most common and many micros implement a two-wire dedicated port.  SPI operates at much higher clock rates, up to 20MHz.  For simplicity and the use of fewer I/O micro pins, two-wire is generally used.

 

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