浪涌防護器中的常用器件
2005/2/25 8:41:13 電源在線網
目前在浪涌防護器中常用的器件主要包括：
1．金屬氧化物壓敏電阻（MOV）
金屬氧化物壓敏電阻是非線性的電子元件，允許大電流通過維持接線端（指定端）很低的殘余電壓。當金屬氧化物壓敏電阻遇到瞬時超過它的啟動電壓時，他立即由電阻抗變為低阻抗，讓瞬間巨大的浪涌瀉放到大地，是危險的高電壓遠離敏感的電子設備。典型的有氧化鋅（ZnO）浪涌吸收器，它是一種以ZnO材料為主，添加多種過渡性金屬氧化物經高溫燒成處理而成的多晶半導體陶瓷元件。由于電微觀結構的隧道效應，使它具有與齊納二極管相似的非線性電壓一電流特性曲線。另外，該元件的承受脈沖能量幾乎是齊納二極管的幾十或幾百倍。至今，這種元件已廣泛地應用于電源設備或其他低頻電路防雷擊和吸引開關電涌。
2．濾波電容器
濾波電容器能夠消除脈沖危害，并可以過濾高頻噪音。當幅度為幾十伏到幾百伏的高脈沖進入電涌時，若沒經過處理，這些脈沖會導致電子系統混亂和元件劣變。瞬間浪涌可以經金屬氧化物壓敏電阻與硅雪崩二極管的反應快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩鉗位電壓。同時由濾波電容器消除高頻噪音。
3．混合型器件
混合型器件兼容了金屬氧化物壓敏電阻的大過流容量特性，提高浪涌電流導通能力，又具有硅雪二極管的反應快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩鉗位電壓。同時由濾波器消除高頻噪音。
4．NTC熱敏電阻器
抑制浪涌電流用負溫度系數熱敏電阻能有效地將開機瞬間的浪涌電流抑制在十分之一以內，而不影響儀器的正常工作，并且在正常工作時其阻值很小，從而所耗散的功率也很少。這類元件已廣泛用于各類開關電源中。
5．瞬變電壓抑制器（TVS）
瞬變電壓抑制器（TVS）是一種特殊的硅二極管雪崩器件，故也稱為閉變電壓抑制二極管，其工作原理與齊納二極管相似。特性及符號與齊納二極管相同，但與一般的齊納二極管不同的是對TVS器件有大面積的PN結，具有承受瞬間大電流的能力，另外它的反向特位為典型的雪崩型，在雪崩時有低動態阻抗及低竿位電壓，只要將TVS并接受要保護的電路上，當有瞬態電壓發生時，TVS將快速響應（擊穿），以耗散大的浪涌電流，電路被塔位于低電壓，使電路得以保護。
6．CSSPD
CSSPD即控制維持電流型硅防護浪涌器件（Current type Silicon Protective Device），它由日本新電元工業公司于1988年研制成功。該器件雙向兩端器件，有pnpnp五層組成，它是單芯片上逆向并聯組成的復合器件。
1．金屬氧化物壓敏電阻（MOV）
金屬氧化物壓敏電阻是非線性的電子元件，允許大電流通過維持接線端（指定端）很低的殘余電壓。當金屬氧化物壓敏電阻遇到瞬時超過它的啟動電壓時，他立即由電阻抗變為低阻抗，讓瞬間巨大的浪涌瀉放到大地，是危險的高電壓遠離敏感的電子設備。典型的有氧化鋅（ZnO）浪涌吸收器，它是一種以ZnO材料為主，添加多種過渡性金屬氧化物經高溫燒成處理而成的多晶半導體陶瓷元件。由于電微觀結構的隧道效應，使它具有與齊納二極管相似的非線性電壓一電流特性曲線。另外，該元件的承受脈沖能量幾乎是齊納二極管的幾十或幾百倍。至今，這種元件已廣泛地應用于電源設備或其他低頻電路防雷擊和吸引開關電涌。
2．濾波電容器
濾波電容器能夠消除脈沖危害，并可以過濾高頻噪音。當幅度為幾十伏到幾百伏的高脈沖進入電涌時，若沒經過處理，這些脈沖會導致電子系統混亂和元件劣變。瞬間浪涌可以經金屬氧化物壓敏電阻與硅雪崩二極管的反應快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩鉗位電壓。同時由濾波電容器消除高頻噪音。
3．混合型器件
混合型器件兼容了金屬氧化物壓敏電阻的大過流容量特性，提高浪涌電流導通能力，又具有硅雪二極管的反應快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩鉗位電壓。同時由濾波器消除高頻噪音。
4．NTC熱敏電阻器
抑制浪涌電流用負溫度系數熱敏電阻能有效地將開機瞬間的浪涌電流抑制在十分之一以內，而不影響儀器的正常工作，并且在正常工作時其阻值很小，從而所耗散的功率也很少。這類元件已廣泛用于各類開關電源中。
5．瞬變電壓抑制器（TVS）
瞬變電壓抑制器（TVS）是一種特殊的硅二極管雪崩器件，故也稱為閉變電壓抑制二極管，其工作原理與齊納二極管相似。特性及符號與齊納二極管相同，但與一般的齊納二極管不同的是對TVS器件有大面積的PN結，具有承受瞬間大電流的能力，另外它的反向特位為典型的雪崩型，在雪崩時有低動態阻抗及低竿位電壓，只要將TVS并接受要保護的電路上，當有瞬態電壓發生時，TVS將快速響應（擊穿），以耗散大的浪涌電流，電路被塔位于低電壓，使電路得以保護。
6．CSSPD
CSSPD即控制維持電流型硅防護浪涌器件（Current type Silicon Protective Device），它由日本新電元工業公司于1988年研制成功。該器件雙向兩端器件，有pnpnp五層組成，它是單芯片上逆向并聯組成的復合器件。
聲明：本信息內容的真實性未經電源在線網證實，僅供參考。
