節(jié)能產(chǎn)業(yè)與智慧產(chǎn)業(yè)是當(dāng)今世界最為熱門的兩大發(fā)展方向，小到獨(dú)石陶瓷電容器、新型傳感器等電子元器件的開(kāi)發(fā),大到智能家居、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用平臺(tái)的搭建，都可融入這兩大產(chǎn)業(yè)之中。在今年的第十四屆高交會(huì)電子展上，近300家參展商展示了各種新型元器件、材料與設(shè)備，無(wú)不顯示出電子制造業(yè)節(jié)能化與智能化的兩大發(fā)展方向。
新型功率器件促進(jìn)節(jié)能
大力發(fā)展節(jié)能技術(shù)、推進(jìn)節(jié)能減排、提倡低碳經(jīng)濟(jì)，是當(dāng)今世界發(fā)展的主旋律。在第十四屆高交會(huì)上，就薈萃了大量致力于節(jié)能產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的企業(yè)，這些企業(yè)均推出了品種繁多的功率器件、電源管理IC等。
羅姆(ROHM)節(jié)能環(huán)保板塊展示的重點(diǎn)是SiC功率器件�！半S著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來(lái)越突出。而新一代材料SiC體積小、高效率、高耐溫在節(jié)能開(kāi)發(fā)上更具潛力�！绷_姆工作人員告訴記者。因此在新一代功率元器件展區(qū)，羅姆重點(diǎn)展出了新開(kāi)發(fā)的SiC功率器件。其中印象最深的是全球首次量產(chǎn)的“全SiC功率模塊”。該產(chǎn)品具有高效率低阻抗的特點(diǎn)，與Si材料相比，開(kāi)關(guān)損耗降低85%以上，實(shí)現(xiàn)低浪涌、低損耗、不易熱失控等特性。將SiC功率器件制成模塊，無(wú)疑具有更高的附加價(jià)值，而且也更加便于客戶使用。不過(guò)封裝是SiC功率器件開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，高耐溫封裝的技術(shù)問(wèn)題并不容易解決，因此雖然許多國(guó)際大型功率器件公司均不斷推進(jìn)SiC功率器件，已發(fā)布的產(chǎn)品也大體覆蓋了當(dāng)今功率器件的主要產(chǎn)品系列，然而像羅姆般推出全SiC模塊的卻并不多見(jiàn)。
東電化(TDK)公司展示的智能手機(jī)用小型電源管理模塊也頗具新意。由于智能手機(jī)集成了越來(lái)越多的功能，電池續(xù)航能力成為消費(fèi)者考核智能手機(jī)優(yōu)劣的最重要指標(biāo)。解決問(wèn)題的辦法，無(wú)非是增加電池容量與降低手機(jī)電耗兩種途徑。智能手機(jī)用電源管理模塊也就成為熱點(diǎn)產(chǎn)品。TDK公司展示的這款SESUB電源管理模塊不僅支持各智能手機(jī)平臺(tái)，而且將薄型化IC內(nèi)置于基板中，降低基板厚度，模塊高度僅為1.4mm，有助于推進(jìn)智能手機(jī)薄型化趨勢(shì)。整個(gè)模塊布局更加緊湊，面積為8.9mm×10.3mm，比原有技術(shù)面積削減70%。
3D無(wú)線充電擴(kuò)大自由度
無(wú)線充電是當(dāng)前最為熱門的一項(xiàng)技術(shù)。采用無(wú)線充電方式可以有效擺脫連接線的束縛，盡管目前該項(xiàng)技術(shù)仍在持續(xù)完善中，但已經(jīng)是企業(yè)的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，也成為各大電子展會(huì)的焦點(diǎn)。
評(píng)判本屆高交會(huì)TDK展臺(tái)上最惹人矚目的展示，無(wú)疑要數(shù)其最新推出的3D無(wú)線充電技術(shù)了。TDK展臺(tái)工作人員介紹說(shuō)，3D無(wú)線充電技術(shù)和一般無(wú)線充電技術(shù)不同之處在于被充電的設(shè)備無(wú)需緊貼充電器，只需將其放置在充電器附近一定的范圍之內(nèi)，即可充電。這樣就大大拓展了無(wú)線充電的范圍，增大了位置自由度和使用靈活性，有助于技術(shù)普及。通過(guò)3D無(wú)線充電技術(shù)，電動(dòng)汽車可以在停車位通過(guò)無(wú)線充電線圈進(jìn)行充電，無(wú)需使用目前普遍采用的充電樁，停車即可充電。<