飛兆N溝道MOSFET系列產品可提供90%的ESD性能

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低于5mOhm的FDS8812NZ) 能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下，系統依然安全。

　　FDS881XNZ系列為設計工程師提供了多種選項，讓他們可根據其電池應用的功率管理和負載開關要求進行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 針對高端筆記本電腦應用，協助設計工程師解決將高端功能整合到筆記本電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm) 非常適合于15” 以上顯示器的一體化筆記本電腦，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 則是通用于中低端產品和子筆記本電腦的理想產品。

　　FDS881XNZ系列的主要優點包括：

    * 低導通阻抗RDS(ON) 解決方案，能提高工作效率，從而延長電池使用壽命。
    * 集成式ESD保護二極管 (HBM) 提供8kV ESD保護功能。
    * 堅固穩健的抗雪崩和抗峰值電流能力，可耐受電壓尖峰的沖擊，避免輸出端出現突變電壓。

　　FDS881XNZ系列N溝道MOSFET系列采用業界標準SO8封裝，是飛兆半導體廣泛的電池用MOSFET產品系列的又一重要成員。潮濕敏感度符合 IPC/JEDEC 標準 J-STD-020對無鉛回流焊的要求，所有飛兆半導體產品設計均符合歐盟的有害物質限用指令 (RoHS)。