英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強(qiáng)特性進(jìn)一步提高系統(tǒng)能效

　　【2022年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項(xiàng)全新的CoolSiC技術(shù)，即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

　　CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時(shí)，隨著柵極運(yùn)行窗口的擴(kuò)大，柵極能很好地耐受與驅(qū)動(dòng)器和布局相關(guān)的電壓峰值，即使在更高開(kāi)關(guān)頻率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技術(shù)，還可通過(guò)采用不同封裝使不同型號(hào)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度，為設(shè)計(jì)工程師提供更多選擇，助力其提升應(yīng)用性能。

　　Easy模塊可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

　　M1H將被集成到備受青睞的Easy系列中，以進(jìn)一步優(yōu)化Easy 1B和2B模塊。此外，英飛凌還將推出一款新產(chǎn)品，利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技術(shù)和增強(qiáng)Easy 3B模塊。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了靈活性，適用于廣泛的工業(yè)產(chǎn)品組合。采用M1H芯片，可顯著降低模塊的導(dǎo)通電阻，讓設(shè)備更加可靠和高效。

　　CoolSiC^TM MOSFET 1200V Easy 3B

　　此外，M1H芯片的最高結(jié)溫為175°C，具備更出色的過(guò)載能力，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，同時(shí)擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。與其前身M1芯片相比，M1H芯片實(shí)現(xiàn)了更低的內(nèi)部柵極電阻（RG），這有利于輕松優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性。M1H芯片保持了其動(dòng)態(tài)特性。

　　具備超低導(dǎo)通電阻的分立式封裝

　　除了集成Easy模塊系列之外，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H產(chǎn)品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝，導(dǎo)通電阻值極低，根據(jù)不同的型號(hào)分為7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10 V，改善了柵極電壓過(guò)沖和下沖，并且實(shí)現(xiàn)了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力，可以輕松用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

　　CoolSiC^TM MOSFET 1200V TO247-3和TO247-4

　　以前在D2PAK-7L封裝中引入的英飛凌.XT互連技術(shù)，現(xiàn)在也可在TO封裝中實(shí)現(xiàn)。較之標(biāo)準(zhǔn)互連技術(shù)，其散熱能力提高了30%以上。這樣的散熱性能提升帶來(lái)了極大的裨益，可以將輸出功率提高多達(dá)15%。另外，它還能提高開(kāi)關(guān)頻率，進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無(wú)源器件，從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫，而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件，因此大大延長(zhǎng)了系統(tǒng)的使用壽命，提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。

　　新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力，在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開(kāi)發(fā)利用，并提高能源效率。