IR授權英飛凌科技使用DirectFET封裝技術

    英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX）與國際整流器公司IR®（NYSE：IRF）宣布，英飛凌獲得國際整流器公司DirectFET®的授權許可，獲準使用享有專利的先進功率封裝技術。

    DirectFET功率封裝技術適用于計算機、筆記本、通信設備和消費類電子產品中的交流-直流以及直流-直流電源轉換器件，是業界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進行頂部冷卻非常有效。較之標準分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結構可實現雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉換器的電流處理能力提升一倍。

    英飛凌將在OptiMOS® 2和OptiMOS 3芯片上采用DirectFET功率封裝技術，并有望在2008年初開始供應采用DirectFET封裝的OptiMOS 2產品樣品。

    國際整流器公司商用功率產品事業部副總裁Tim Phillips表示：“國際整流器公司的DirectFET封裝工藝采用獨具特色的雙面冷卻設計，是應用于計算機、消費電子和通訊產品的電子器件降低功耗、減小尺寸的首選解決方案。我們將不斷開發尖端的節能工藝并通過簽訂許可協議，擴大DirectFET等創新工藝帶來的節能影響，同時進一步增大我們在商用功率轉換器這個最大的功率管理細分市場的份額。”

    英飛凌科技高級副總裁兼功率管理與驅動產品事業部總經理Arunjai Mittal補充說：“通過簽署該技術許可協議，英飛凌可繼續壯大其功率半導體產品陣容。我們將成熟的OptiMOS芯片技術與適用于不同應用的各種封裝工藝結合起來，可使電源設計者針對特定產品設計出能效和成本效率更高的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片出色的性能配以雙面冷卻的封裝技術，將進一步鞏固英飛凌在功能轉換市場的地位。”