IR授權(quán)英飛凌科技使用DirectFET封裝技術(shù)

    英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX）與國際整流器公司IR®（NYSE：IRF）宣布，英飛凌獲得國際整流器公司DirectFET®的授權(quán)許可，獲準使用享有專利的先進功率封裝技術(shù)。

    DirectFET功率封裝技術(shù)適用于計算機、筆記本、通信設備和消費類電子產(chǎn)品中的交流-直流以及直流-直流電源轉(zhuǎn)換器件，是業(yè)界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術(shù)，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進行頂部冷卻非常有效。較之標準分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力提升一倍。

    英飛凌將在OptiMOS® 2和OptiMOS 3芯片上采用DirectFET功率封裝技術(shù)，并有望在2008年初開始供應采用DirectFET封裝的OptiMOS 2產(chǎn)品樣品。

    國際整流器公司商用功率產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Tim Phillips表示：“國際整流器公司的DirectFET封裝工藝采用獨具特色的雙面冷卻設計，是應用于計算機、消費電子和通訊產(chǎn)品的電子器件降低功耗、減小尺寸的首選解決方案。我們將不斷開發(fā)尖端的節(jié)能工藝并通過簽訂許可協(xié)議，擴大DirectFET等創(chuàng)新工藝帶來的節(jié)能影響，同時進一步增大我們在商用功率轉(zhuǎn)換器這個最大的功率管理細分市場的份額�！�

    英飛凌科技高級副總裁兼功率管理與驅(qū)動產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Arunjai Mittal補充說：“通過簽署該技術(shù)許可協(xié)議，英飛凌可繼續(xù)壯大其功率半導體產(chǎn)品陣容。我們將成熟的OptiMOS芯片技術(shù)與適用于不同應用的各種封裝工藝結(jié)合起來，可使電源設計者針對特定產(chǎn)品設計出能效和成本效率更高的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片出色的性能配以雙面冷卻的封裝技術(shù)，將進一步鞏固英飛凌在功能轉(zhuǎn)換市場的地位�！�